La révolution des électroniques auto-assemblées : Une nouvelle ère pour les dispositifs électroniques.
Des chercheurs américains ont fait une importante découverte en démontrant une nouvelle technique pour l'auto-assemblage des dispositifs électroniques, ouvrant la voie à la création de composants plus complexes sans dépendre des méthodes de fabrication de puces informatiques existantes.
Lire aussi :
- Les Pays-Bas redonnent du poids géopolitique à l'Europe avec la machine la plus chère du monde à 350 millions d'euros destinée à la production de semiconducteurs
- Les Etats-Unis inventent un nouveau matériau qui va repousser les limites des propriétés physiques des semi-conducteurs traditionnels
Une invention « disruptive » dans la fabrication des semi-conducteurs
Martin Thuo, professeur de science des matériaux et d'ingénierie à l'Université d'État de Caroline du Nord et auteur principal de l'étude, souligne les avantages de cette nouvelle approche par rapport aux techniques traditionnelles de fabrication de puces. Selon lui, l'auto-assemblage est non seulement plus rapide et moins coûteux, mais permet également de régler le gap énergétique des matériaux semi-conducteurs et de les rendre sensibles à la lumière. Cette avancée technologique pourrait donc révolutionner la fabrication des dispositifs optoélectroniques.
Le processus d'auto-assemblage détaillé
Le procédé d'auto-assemblage, nommé réaction de métal-ligand dirigée (D-Met), commence par l'utilisation de particules de métal liquide, comme l'alliage de Field composé d'indium, de bismuth et d'étain. Ces particules sont placées à côté d'un moule, pouvant être fabriqué dans n'importe quelle taille ou motif. Une solution contenant des ligands, constitués de carbone et d'oxygène, est ensuite versée sur le métal liquide. Ces ligands capturent les ions de la surface du métal et les organisent dans un motif géométrique spécifique, permettant à la solution de s'écouler dans le moule et d'assembler des structures complexes en trois dimensions.
Avantages et applications potentielles
Cette technique d'auto-assemblage permet la création de transistors et de diodes à l'échelle nano et micro, avec un potentiel important pour la génération d'énergie propre. Les feuilles de graphène produites pendant le processus peuvent être utilisées pour ajuster le gap énergétique des semi-conducteurs, augmentant ou diminuant leur réactivité selon la qualité du graphène. De plus, l'utilisation de bismuth permet de fabriquer des structures photo-réactives, offrant la possibilité de manipuler les propriétés des semi-conducteurs à l'aide de la lumière.
Vers la fabrication de dispositifs plus complexes
L'étape suivante pour les chercheurs est d'utiliser cette technique pour fabriquer des dispositifs plus complexes, tels que des puces tridimensionnelles. L'approche pourrait potentiellement transformer la fabrication à grande échelle, les chercheurs n'étant limités que par la taille du moule utilisé. Ils peuvent également contrôler les structures des semi-conducteurs en manipulant le type de liquide utilisé dans la solution, les dimensions du moule et la vitesse d'évaporation de la solution.
Implications futures et perspectives
La méthode de fabrication présentée offre une alternative prometteuse aux méthodes conventionnelles, combinant coût réduit, haute performance et moindre impact environnemental. La recherche, publiée dans la revue Materials Horizons, est soutenue par le Centre National de la Science pour les Systèmes de Particules Complexes, promettant de nouvelles avancées dans le domaine des semi-conducteurs et de l'opto-électronique.
Cet article explore le développement révolutionnaire dans le domaine de l'auto-assemblage des dispositifs électroniques, démontré par des chercheurs qui ont mis au point une méthode permettant de créer des diodes et des transistors de manière plus efficace et moins coûteuse. Cette avancée pourrait non seulement améliorer la fabrication des composants électroniques mais aussi ouvrir la voie à la production de technologies optoélectroniques avancées, marquant un tournant dans la fabrication des semi-conducteurs modernes.
Source : https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/mh/d4mh01177e
En tant que jeune média indépendant, secret-defense.org a besoin de votre aide. Soutenez-nous en nous suivant et en nous ajoutant à vos favoris sur Google News. Merci !
